STP10DB51G2
Загальний опис
STP10DB51G2, що містить новий тип CMOS-сумісної термобатареї, має гарну чутливість, малий температурний коефіцієнт чутливості, а також високу відтворюваність і надійність.Мікросхема AFE (Analog Front End) інтегрована з датчиком термобатареї, що забезпечує посилення 1000 для малої вихідної напруги датчика термобатареї.Вихідна напруга датчика може бути безпосередньо перетворена 10- або 12-бітним АЦП, що усуває прецизійний підсилювач з нульовим дрейфом і схему DC-DC.Для компенсації температури навколишнього середовища також вбудовано високоточний цифровий датчик температури.
Особливості та переваги
Вихідна напруга датчика може бути безпосередньо перетворена 10- або 12-бітним АЦП
Невеликий розмір, висока надійність, 4-контактний корпус SMD
Діапазон робочих температур: від −10°C до +80°C
Антиелектромагнітні перешкоди
Низька потужність 100 мкА та широкий діапазон напруги живлення від 2,5 В до 5,5 В
Інтегрований цифровий контроль температури з високою точністю
Додатки
Блок-схема
Електричні характеристики (VS = 5,0 В, TA = +25°C, якщо не зазначено інше.)
Оптичні характеристики
